個人介紹

佐佐木公平1981 年出生于日本仙臺。2006 年，獲得長岡技術大學工程碩士學位，并加入田村制作所，在期間進行了利用臭氧-MBE 和離子注入摻雜技術開發(fā)了 Ga₂O₃ 同質外延生長技術。并且對Ga₂O₃溝槽 MOSSBD、JBS 二極管和溝槽 MOSFET進行了開發(fā)工作。2016 年獲得京都大學工程學博士學位。2018 年，加入NCT，利用鹵化物氣相外延生長的低killer缺陷密度Ga₂O₃同質外延薄膜，開發(fā)出 100 安培級的大尺寸Ga₂O₃ SBD。現擔任NCT的首席技術官兼董事。

本篇綜述介紹了氧化鎵作為功率器件材料的研究進展，涵蓋了從塊狀晶體生長到外延生長的發(fā)展、缺陷評估、器件工藝和開發(fā)，以上這些都是基于作者的研究經驗。在過去十年左右的時間里，外延片的尺寸已經擴大到 4-6 英寸，并且也驗證了肖特基勢壘二極管和場效應晶體管能夠進行安培級操作且擊穿電壓達到幾kV。另一方面，氧化鎵功率器件的實際應用也面臨著挑戰(zhàn)，如外延片的成本、killer缺陷、外延層的純度等。本文全面總結了氧化鎵發(fā)展的歷史，不僅包括論文，還涵蓋了專利和會議發(fā)表，并對這種材料的持續(xù)發(fā)展前景提出了作者的個人看法。

DOI ：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad6b73

本文轉載自《亞洲氧化鎵聯盟》公眾號